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选用低能电子束,样品不用镀膜,可直接观察样品的形貌和成分衬度

选用低加速电压，即意味着使用低能电子束，入射样品后受到散射的扩散区域小，相互作用区接近表面，有利于表面形貌成像。常规加速电压观察半导体或绝缘体时，样品必须镀导电膜，这时形貌衬度是成像衬度，膜层完全掩盖了样品不同元素出射电子产率的变化，不能观察到样品的成分衬度。选用低能电子束，样品不用镀膜，可直接观察样品的形貌和成分衬度，充分反映出材料的原貌。

对于某些导电性差的材料，如半导体、集成电路、印制板、电脑零件、纸张、纤维、或者含水的动植物样品，要求直接观察微观形貌，使用常规高真空（High vacuum，HV）成像受到限制，应该使用VP（Variable pressure，可变压力模式）或EP（Extend pressure，扩展压力模式）成像技术。

真空镀膜法与离子溅射法相比

真空镀膜采用真空镀膜仪进行蒸镀，其原理是在高真空状态下，通过加热靶材，使之蒸发成极细小的颗粒（原子团）而挥发出来，然后通过自身的重力降落到样品的表面形成一层导电膜层，使样品表面导电。现在多数镀膜仪通常选用金、铂和金钯合金等，蒸镀金属膜的厚度约为5~10nm。同样的靶材用真空镀膜法与离子溅射法相比，真空镀膜法所形成的金属膜层的颗粒相对较粗，而且膜的均匀性较差，操作较麻烦，既费时又耗能、耗材，所以成本比较高。目前真空镀膜法已经很少使用，使用较多的是离子溅射法。

扫描电子显微镜(scanningelectronmicros

扫描电子显微镜（scanning electron microscope，简称扫描电镜/SEM）的基本组成是透射系统、电子系统、电子收集系统和观察记录系统，以及相关的电子系统。现在公认的扫描电镜的概念是由德国的 Knoll在1935年提出来的，1938年Von Ardenne在投射电镜上加了个扫描线圈做出了扫描透射显微镜（SEM）。

由于扫描电镜可以利用多种物理信号对样品进行综合分析，并具有直接观察较大样品、放大范围广、景深大的特点，当陶瓷材料处于不同的外部条件和化学环境时，扫描电子显微镜在其微观结构分析和研究方面也显示出很大的优势。

扫描电子显微镜(ScanningElectronMicros

1960年代，扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope）问世，它利用高能电子束对样品进行扫描成像。 电子与构成样品的原子的相互作用可以产生包含样品表面的形貌、成分和其他信息的信号。从原理上讲，扫描电子显微镜是利用非常精细聚焦的高能电子束在样品上扫描，激发各种物理信息。 通过对这些信息的接受、放大和显示成像，可以获得对试样表面形貌的观察。 桌面式扫描电镜（Scanning Electron Microscope）是一种紧凑型电子显微镜，可以放置在实验台上进行操作。其原理与传统（落地式）扫描电子显微镜相同。 组成部分包括：电子发射、电磁透镜、信号检测、真空系统、计算机控制系统。